Tietovuoto Qualcommin Snapdragon 835:sta ennen CES-tapahtumaa

Videocardziin vuotaneet esitysdiat vahvistavat suurimmaksi osaksi oikeiksi huhutut tiedot Qualcommin seuraavasta Snapdragon 835 -piirisarjasta. Tosin aivan kaikkia speksejä ei vuodetuissa tiedoissa vielä esimerkiksi grafiikkapiirin kellotaajuudesta ole.

Valmistuksesta tulee vastaamaan Samsung, ja valmistukseen käytetään yhtiön 10 nm FinFET -prosessia.

Piirisarjasta tulee löytymään kahdeksan Kyro 280 -prosessoriydintä ja Adreno 540 -grafiikkapiiri. Tehot ovat nousseet edelliseen Snapdragon 820 lippulaivamalliin verrattuna 27 prosenttia. Piirisarjan virrankulutus on puolittunut verrattuna yhtiön vanhempaan Snapdragon 801 -piirisarjaan.

Diojen perusteella neljä tehokkaampaan käyttöön varattua ydintä toimisivat parhaimmillaan 2,45 gigahertsissä ja neljä virtapihiä vastinetta 1,9 gigahertsissä.

Uusi grafiikkapiiri tukee videotoistossa 10-bittistä HDR-sisältöä ja 60 FPS 4K -videotoistoa. Grafiikkarajapinnoista piirisarja tukee Open GL ES-, Vulkan- ja DirectX 12 -rajapintoja.

Uusi X16 LTE -modeemi mahdollistaa gigabitin LTE-yhteyksien hyödyntämisen.