Plaza

Muropaketti.com

TSMC paljasti tietoja 28 nm:n valmistustekniikasta

30.9.2008

EETimes-verkkolehti uutisoi taiwanilaisen piirivalmistaja TSMC:n (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co) paljastaneen tietoja tulevista 40, 32 ja 28 nm:n valmistusprosesseista. Suurin yllätys oli ilmoitus, että hilaeristeenä käytettävä korkean k-arvon materiaali sekä metallihila (High-k + metal gate) otetaan käyttöön vasta 28 nm:n prosessissa vuoden 2010 ensimmäisellä neljänneksellä.

Samassa yhteydessä kerrottiin, että 32 nm:n prosessi on käytännössä asiakkaille vain edullisempi vaihtoehto 40 nm:n prosessille, jossa käytetään hilaeristeenä edelleen pii-happinitridiä (SiON). Ilmoitusten seurauksena näyttäisi siltä, että TSMC:n pahimmat kilpailijat Chartered, IBM ja Samsung ovat hieman teknisessä kehityksessä edellä. Intel on puolestaan käyttänyt High-k + metal gate -tekniikkaa jo lähes vuoden verran 45 nm:n valmistusprosessissaan. TSMC:n markkinointijohtaja John Wei ei kuitenkaan myöntänyt yrityksen olevan kilpailijoitaan jäljessä, vaan totesi kyseessä olevan ainoastaan suunniteltu muutos teknisessä kehityksessä.

EETimes, TSMC pushes out high-k in 28-nm rollout

Sampsa Kurri

1.

”Ilmoitusten seurauksena näyttäisi siltä, että TSMC:n pahimmat kilpailijat Chartered, IBM ja Samsung ovat hieman teknisessä kehityksessä edellä.”

Humm.. Eikös TSMC käytä tällähetkellä SiOxNy geittidielektriä perus SiO2:sen tilalla, jospa ne on saanu tuolla nitriitillä kasvatettua tuota kappaa (dielektrisyysvakiota) senverran, ettei he näe tarvetta hafniumsilikaateille tai -oksideille vielä noissa 40nm ja 32nm tekniikoissa? Täten tuo otaksuma että TSMC olisi kehityksessä jälestä tuntuu vähän turhan rohkealta väittämältä, ja vaan tulevaisuus näyttää onko tuo ratkaisu hyvä.. Toisaalta, ite oon käyny vaan amk:n puolijohdekurssit, joku viisaampi kait osaisi sanoa tarkemmin…

2.

”…väittämältä, ja vaan tulevaisuus…” –> ”…väittämältä, ja vasta tulevaisuus…”

…joskus tuon editnappulan puute harmittaa.

3.

TunTuri, joo pieni sekoilu.. käytössä siis pii-oxynitridi (SiON) Intelin piioksidin sijaan. (jos joku tietää oxynitridelle paremman suomennoksen niin kertokoon) :)

4.

hmmm tullanko sitten näkemään tulevia amd:n näytönohjain ja piirisarja tuotteita noillä valmistusmenetelmillä? Alle 30nm valmistustekniikka onkin sitten lähempänä kuin arvata saattaa.
Tuntuu olevan kilpailu noitten valmistustekniikoiden saralla aika tiukkaa ja onkin aika tärkeä osa tuotteiden kannattavuutta koska piirin valmistuskustannus riippuu hyvin paljon käytetyn piipalan koosta, ja transistorimääriä on nykyisessä kilpailutilanteessa hyvin vaikea pudottaa.

5.

Ilman laajempaa kemian tuntemusta, ehdotan käännöstä 'pii-happinitridi'.

6.

http://www.hardocp.com/article.html?art=NTMz <– humm.. 9600xt:ssä jo käytetty low-k tekniikkaa, vaikka viivaleveys ollut 130nm.

Kirjaudu sisään

Kommentointi tässä osiossa on sallittu vain rekisteröityneille käyttäjille. Jos sinulla ei vielä ole tunnusta, rekisteröidy käyttäjäksi.

Takaisin ylös