GlobalFoundries esitteli 7 nanometrin FinFET-prosessin, tuotantoon 2018
Puolijohdevalmistajamarkkinat ovat raakaa peliä, ja aiemmin kymmenistä toimijoista koostunut ala on kutistunut vain neljään suureen tekijään. Yksi neljästä suuresta on GlobalFoundries, joka on joutunut tuoreimmassa FinFET-sukupolvessa turvautumaan Samsungin kehittämään prosessiin itse kehitetyn sijasta. Myös vastikään julkaistu 12 nanometrin FD-SOI-prosessi juontaa juurensa talon ulkopuolelle, sillä yhtiö sai liki valmiin prosessin ostettuaan IBM:n tuotantotoiminnan.
GlobalFoundries ei kuitenkaan aio jäädä vain muiden kehittämien prosessien varaan. Yhtiö aikoo jättää 10 nanometrin FinFET-prosessit täysin väliin, ja on nyt esitellyt parhaillaan kehityksessä olevan 7 nanometrin FinFET-prosessin. 10 nanometrin välistä jättämisen syyksi yhtiö kertoo prosessin vähäiset hyödyt sen hintaan nähden. GlobalFoundriesin mukaan 10 nanometrin valmistusprosessi nähdään alalla vain pienenä välietappina matkalla 7 nanometriin.
GlobalFoundriesin esittelemä 7 nanometrin FinFET-valmistusprosessi tulee luottamaan edelleen perinteiseen optiseen litografiaan, mutta tukee myös EUV-teknologiaa (Extreme UltraViolet). 7 nanometrin valmistusprosessi aiotaan ottaa ensimmäisenä käyttöön New Yorkin osavaltiossa sijaitsevassa Fab 8 -tuotantolaitoksessa. Yhtiön tämän hetkisen ennusteen mukaan prosessi saadaan riskituotantokäyttöön vuoden 2018 alussa. Voit lukea aiheesta lisää GlobalFoundriesin lehdistötiedotteesta.
