Intel: 14 nm valmistusprosesissa edelleen ongelmia, silti kilpailijoita parempi

Intel on kertonut yhtiön 14 nanometrin FinFET-valmistusprosessin kärsivän edelleen saantiongelmista. Yhtiön aiemman ennusteen mukaan kaikkien ongelmien piti olla selvitettyjä kuluvan vuoden ensimmäisen puoliskon aikana. Uuden ennusteen mukaan 14 nanometrin prosessi tulee saavuttamaan 22 nanometrin prosessin tason vasta ensi vuoden puolivälin tienoilla.

Samassa yhteydessä Intel vertaili valmistusprosessiaan ja sillä tehtyjä tuotteita Applen järjestelmäpiireihin. Yhtiön tekemään vertailuun otetuista piireistä korkein transistoritiheys löytyy Samsungin valmistamasta Apple A9:stä. Vaikka Skylake paransi Intelin prosessoreiden transistoritiheyttä Broadwelliin nähden, jäävät ne paitsi Samsungin valmistaman A9:n, myös TSMC:n valmistaman A9:n ja A8:n jalkoihin.

Intelin mukaan tämä johtuu piirien rakenteesta, sillä Intelin prosessorit sisältävät pidempiä, enemmän tilaa vaativia soluja sekä rekistereitä, jotka uupuvat täysin Applen piireistä. Applen piireissä on myös selvästi suurempi prosentuaalinen osuus pyhitetty SRAMille. Intelin mukaan yhtiön piirien transistoritiheys, kun se suhteutetaan transistorityyppien vaatiman tilan mukaan, olisi selvästi Applen piirejä korkeampi. Intelin mukaan yhtiön 14 nanometrin valmistusprosessi tarjoaa kaikin puolin selvästi kilpailijoiden 14 ja 16 nanometrin valmistusprosesseja pienempiä transistoreja ja sitä myöden myös tiheämpiä piirejä. Yhtiö uskoo lisäksi, että ero vain kasvaa 10 nanometrin valmistusprosessien myötä.

ComputerBase, 14 nm misses forecasts, views of 10 and 7 nm (Google Translate)