Samsung kertoi milloin se alkaa valmistaa piirejä 2, 3 ja 4 nanometrin prosessilla

Samsung työstää 7 ja 11 nanometrin piirejä ensi vuodelle

IBM, Globalfoundries ja Samsung valmistivat piikiekon 5 nm:n teknologialla

Huhu: TSMC valmistelee uutta 12 nanometrin valmistusprosessia

Samsungilta kaksi uutta puolijohdevalmistusprosessia

GlobalFoundries esitteli 7 nanometrin FinFET-prosessin, tuotantoon 2018

GlobalFoundries jättää 10 nanometrin prosessin välistä, keskittyy 7 nanometriin

ITRS: Transistorien kutistumisessa seinä vastaan jo viiden vuoden päästä

Samsung ottaa käyttöön jo toisen sukupolven 10 nm:n prosessin tänä vuonna

Intel myöntää virallisesti: Tick-Tock-julkaisusykli on historiaa