Qualcomm esitteli uuden Quick Charge 3.0 -pikalataustekniikan
Mobiilipiirivalmistaja Qualcomm esitteli eilen uuden kolmannen sukupolven version Quick Charge -pikalataustekniikastaan. Uusi Quick Charge 3.0 nähdään ensimmäistä kertaa yrityksen Snapdragon 820 -piirissä, joka tulee markkinoille ensi vuoden alussa. Muita tekniikkaa tukevia tulevia piirejä ovat Snapdragon 620, 618, 617 ja 430. Quick Charge 3.0 on taaksepäin yhteensopiva aiempien versioiden kanssa sekä yhteensopiva erilaisten latausliittimien, kuten uuden USB Type-C:n kanssa.
Qualcommin mukaan uusi Quick Charge 3.0 -tekniikka mahdollistaa mobiililaitteen akun lataamisen jopa tuplasti nopeammin kuin Quick Charge 1.0 -tekniikalla ja 27 % nopeammin kuin nykyisellä Quick Charge 2.0 -tekniikalla. Akun lataaminen nollasta 80 %:iin onnistuu uudella tekniikalla noin 35 minuutissa.
Nopeuden lisäksi Quick Charge 3.0:n kehutaan olevan myös hyötysuhteeltaan 38 % parempi sekä vähentävän virtahukkaa jopa 45 % edeltäjäversioon nähden. Uusi INOV-algoritmi (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) mahdollistaa laitteen ja laturin välisen ”keskustelun” optimaalisen latausjännitteen säätämiseksi. Quick Charge 3.0 mahdollistaa latausjännitteen säätämisen 200 mV askelin 3,6 ja 20 voltin välillä. Edellisen sukupolven ratkaisussa jännitevaihtoehtoja olivat ainoastaan 5, 9, 12 ja 20 volttia.
Qualcomm Quick Charge 3.0 -esittelysivu
Qualcommin Quick Charge -tuotesivu
