Qualcomm esitteli uuden sukupolven Quick Charge 4 -latausteknologian
Qualcommin tuleva Snapdragon 835 ja valmistussopimus Samsungin kanssa eivät jääneet yhtiön ainoiksi uutisiksi. Yhtiö esitteli tällä viikolla samaan syssyyn myös uuden version Quick Charge -latausteknologiastaan.
Quick Charge 4 lupaa jälleen parantaa sekä latauksen nopeutta että sen tehokkuutta. Yhtiön mukaan Quick Charge -teknologian tuorein inkarnaatio kykenee lataamaan tyypillistä high end -luokan älypuhelinta vähintään viiden käyttötunnin edestä vain viidessä minuutissa, ja 2750 mAh:n akun täyttyvän puolilleen vartissa.
Dual Charge -teknologiaa hyödyntävissä tapauksissa Quick Charge 4:n luvataan tarjoavan 20 prosenttia nopeampaa latausta ja 30 prosenttia korkeampaa energiatehokkuutta kuin Quick Charge 3.0 edeltävän sukupolven Dual Charge -teknologialla.
Quick Charge 4:n parannukset eivät jää vain nopeuteen, vaan yhtiö muun muassa standardoi kaikki teknologiaa hyödyntävien latureiden ominaisuudet. Quick Charge 4 -laitteet ja -laturit tulevat olevaan täysin USB Type-C- ja USB PD (Power Delivery) -yhteensopivia.
Uusi Battery Saver -ominaisuus puolestaan lupaa parantaa akkujen elinikää, ja INOV:n (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) kolmas versio parantaa lataustehokkuutta ottamalla huomioon myös lämpötilan. Uutta on myös kaapelin tunnistaminen, mikä parantaa entisestään latausturvallisuutta.
Quick Charge 4 saapuu markkinoille ensi vuonna Snapdragon 835 -järjestelmäpiirin myötä, mutta yhtiö aloittaa sitä tukevien SMB1380- ja SMB1381-virranhallintapiirien toimitukset vielä tämän vuoden puolella. Voit lukea asiasta lisää yhtiön lehdistötiedotteesta ja blogista.
