Qualcomm kertoo lisää yksityiskohtia Snapdragon 835 -järjestelmäpiiristä CES-messuilla

Qualcomm on julkaissut Twitterissä kiusoittelukuvan, jossa se paljastaa kertovansa lisää yksityiskohtia tulevasta Snapdragon 835 -järjestelmäpiiristä tammikuun alussa Las Vegasissa järjestettävillä CES-messuilla. Uusi 835-malli tulee korvaamaan nykyiset 14 nanometrin viivanleveydellä valmistettavat Snapdragon 820- ja 821-järjestelmäpiirit yrityksen tuoteportfolion terävimmässä kärjessä.

Tällä hetkellä tiedetään, että Snapdragon 835 tullaan valmistamaan Samsungin 10 nanometrin FinFET-prosessilla ja se tukee uutta Quick Charge 4 -latausteknologiaa, jonka luvataan lataavan akkuun 5 tuntia käyttöaikaa viidessä minuutissa.

Tarkkoja ominaisuuksia ei kuitenkaan vielä ole kerrottu, mutta järjestemäpiiristä uskotaan löytyvän kahdeksan 2,2 GHz:n kellotaajuudella toimivaa prosessoriydintä. Adreno 540 -grafiikkaohjaimen odotetaan olevan noin 30 % suorituskykyisempi kuin edellisen sukupolven Adreno 530.

Ensimmäisen Snapdragon 835 -järjestelmäpiiriä käyttävän puhelimen uskotaan olevan Samsungin tuleva Galaxy S8.