Samsung esitteli uuden 10 nm tekniikalla valmistetun kuuden gigatavun LPDDR4 DRAM -muistipiirin

20.05.2016 15:22 | Juha Kokkonen

samsung-6gt-lpddr4-1-200516

Samsungin kerrotaan esitelleen eilen Shenzhenissä järjestetyssä Samsung Mobile Solutions Forum -tapahtumassa uutta kuuden gigatavun LPDDR4 DRAM -muistipiiriään. Piiri valmistetaan alhaisella 10 nanometrin viivanleveydellä, joka mahdollistaa mm. aiempaa alhaisemman virrankulutuksen. Uusi piiri tekee myös kuuden gigatavun käyttömuistin toteuttamisesta mobiililaitteisiin entistä helpompaa. Samsung esitteli viime syksynä kolmen gigatavun piirin, joita yhdistelemällä kuuden gigatavun muistimäärän toteuttaminen oli jo mahdollista.

samsung-6gt-lpddr4-2-200516

Uusi kuuden gigatavun muistipiiri saatetaan nähdä ensimmäistä kertaa tositoimissa elokuussa Galaxy Note 6 -älypuhelimen yhteydessä. Note 6:ssa huhutaan olevan myös 5,8-tuumainen AMOLED-näyttö, Snapdragon 823 -järjestelmäpiiri sekä 4000 mAh akku.

Asiasta uutisoi The Next Rex– ja Huanqiu-sivustot.