Samsung lanseerasi 8 gigatavun LPDDR4-muistin seuraavan sukupolven mobiililaitteisiin
Samsung on julkaissut alan ensimmäisen kahdeksan gigatavun LPDDR4-muistin, joka soveltuu käytettäväksi seuraavan sukupolven mobiililaitteiden käyttömuistina. Fyysisesti piiri on 15 x 15 x 1,0 millimetrin kokoinen ja se sopii useimpien ohuiden älypuhelinten sekä taulutietokoneiden suunnitteluvaatimuksiin.
Uuteen 8 gigatavun DRAM-muistiin on paketoitu neljä kappaletta 10 nanometrin viivanleveydellä valmistettavia 16 gigabitin LPDDR4-muistipiirejä. Muisti toimii 4266 Mbps nopeudella ja se on 30 % nopeampaa kuin Samsungin edellisen sukupolven LPDDR4-muisti ja kaksi kertaa nopeampaa kuin normaalit DDR4-työpöytämuistit (2133 Mbps). Lisäksi 10 nm:n valmistustekniikan ansiosta uusi muisti on entistä energiatehokkaampi.
Samsung aloitti vuosi sitten kolmen ja kuuden gigatavun muistipiirien valmistuksen, mutta tuolloin käytössä oli isompi 20 nanometrin prosessi ja 12 gigabitin muistipiirit.
Tällä hetkellä kuuden gigatavun käyttömuisti löytyy markkinoilla olevista Android-puhelimista muun muassa Oneplus 3:sta ja Samsungin kuopatusta Galaxy Note7:sta.
