Samsungilta ensimmäisenä 20 nm tekniikalla valmistettuja NAND-piirejä muistikortteihin
Teknologiajätti Samsung on esitellyt tänään markkinoiden ensimmäiset 20 nm tekniikalla valmistetut MLC NAND -muistipiirit, jotka sopivat käytettäväksi SD-muistikorteissa. Uusi 32 gigabitin MLC NAND Flash -piiri mahdollistaa entistä suurempikapasiteettisten ja suorituskykyisempien korttien valmistuksen. Uudella 20 nm tekniikalla piirien saannon kehutaan olevan 50 % parempi, kuin 30 nm tekniikalla. Myös suorituskyvyn kerrotaan parantuneen 30 %. Markkinoille tulee 20 nm piireihin perustuvia muistikortteja 4-64 gigatavun haarukassa. Samsung on lähettänyt uuteen tekniikkaan perustuvien SD-korttien samplet asiakkailleen ja laajempi valmistus alkaa myöhemmin tänä vuonna.