Samsungilta yhdistelmämuistipiiri

Samsung on julkistanut aloittavansa 2,5 gigabitin muistipiirien massatuotannon erityisesti 3G-älypuhelimia varten. Samsungin 2,5 gigabitin muistit yhdistävät kaksi 128 megatavun kokoista NAND-flashmuistipiiriä ja kaksi 32 megatavun DRAM-muistipiiriä samalle pienelle piirille. Idean tarkoituksena on luonnollisesti pienentää puhelimien kokoa ja virrankulutusta. Samsung on niin ikään suunnittelemassa 8 gigabitin MCP-muistipiiriä vielä tämän vuoden aikana.