Snapdragon 660 -testitulokset yllättävän kovia
Qualcomm julkisti toukokuun alussa uuden Snapdragon 660 -järjestelmäpiirin. Sen ensimmäiset testitulokset ovat melkoisen kovia ja häviävät yllättävän vähän lippulaivalaitteiden Snapdragon 835 -piirille.
PhoneArena on vertaillut hieman eri piirien GeekBench-tuloksia. Heart-nimellä siunatussa testipuhelimessa ollut Snapdragon 660 nakutti 5455 pistettä useampaa ydintä rasittavassa testissä. Samsung Galaxy S8+ ja sen Snapdragon 835 -piiri saivat samassa testissä 6301 pistettä. Eroa on siis vain 15,5 prosenttia.
Suunnilleen saman verran on eroa myös edellisen sukupolven keskihintaisten puhelinten piiriin, Snapdragon 653 -malliin. Se saa Oppo F3 Plus -puhelimen kanssa testissä tulokseksi 4695.
Yhden ytimen testissä uutuuspiiri sai tulokseksi 1588. Tehomalli 835 puolestaan saa tulokseksi 1832, ja viime vuotinen 653 lyö tauluun lukemaksi 1438.
Qualcommin mukaan Snapdragon 660 on valmistettu 14 nanometrin tekniikalla, siinä missä 835 hyödyntää Samsungin ja Qualcommin uusinta, 10 nanometrin valmistustekniikkaa. Sen ansiosta piiristä saadaan lisätehon lisäksi myös pienempikokoinen ja virtapihimpi. Snapdragon 660 -järjestelmäpiiri koostuu kahdeksasta 64-bittisestä Kryo 260 -ytimestä, joiden kellotaajuus voi olla enintään 2,2 gigahertsiä. GPU-puolesta vastaa Adreno 512.
