Snapdragon 820 -piirissä 3,0 GHz Kyro-ytimet sekä Samsungin 14 nm valmistustekniikka?
Qualcomm esitteli seuraavan sukupolven Snapdragon 820 -järjestelmäpiirinsä MWC-messujen yhteydessä maaliskuussa, mutta oli tuolloin varsin varovainen piiriin liittyvien tietojen kanssa. Nyt Kiinasta kantautuvien tietojen mukaan Qualcomm on saanut viimeisteltyä piirinsä speksit ja lähetettyä sen mallikappaleet laitevalmistajille.
Tuoreimpien huhujen mukaan Snapdragon 820:ssa käytettävät 64-bittiset Kyro-prosessoriytimet tulevat toimimaan 3,0 GHz:n maksimikellotaajuudella. Piirin valmistuksen kerrotaan puolestaan tapahtuvan Samsungin tuotantolinjalla 14 nm viivanleveyttä käyttävällä FinFET-prosessilla. Kyseessä ei ole ensimmäinen kerta, kun Qualcommin huhutaan siirtyvän TSMC:n kelkasta Samsungin asiakkaaksi.
Kiinalaislähteet puhuvat ainakin Sonyn, HTC:n ja Xiaomin testaavan uutta piiriä ensimmäisten joukossa. Lisäksi Xiaomin kerrotaan aikovan käyttää Snapdragon 820 -piiriä tulevassa Mi 5 -huippumallissaan, jonka julkaisun on huhuttu tapahtuvan lokakuussa. Snapdragon 820 näyttelee merkittävää roolia Qualcommin kasvojen palauttamisessa lämpöongelmista kärsineen Snapdragon 810 -piirin jälkeen.
GizmoChina, Qualcomm Snapdragon 820 Processor Will Begin Showing Up in Smartphones Soon
