TSMC testaa tulevan Snapdragon 845 -piirisarjan valmistusta 7 nm:n valmistusprosessilla

Androidheadlinesin raportoimien tietojen mukaan Qualcommin piirisarjojen seuraava lippulaiva Snapdragon 845 on nyt testivalmistuksessa ja siihen käytetään seitsemän nanometrin viivanleveyttä. Raportin mukaan TSMC aloitti uuden valmistusprosessin testaamisen huhtikuussa, ja ensimmäiset prosessorit on nyt saatu ulos valmituslinjalta.

Uutta piirisarjaa tähdätään Samsungin seuraavaan lippulaivapuhelimeen, joka on todennäköisesti ensi keväänä julkaistava Galaxy S9. 7 nm:n viivanleveyttä aikovat käyttää myös esimerkiksi MediaTek, Huawei ja NVIDIA. Uuden kavennetun viivanleveyden odotetaan tuovan jopa 25 – 35 prosentin parannuksen teholisän verrattuna nyt lippulaivapiireissä nähtävään kymmenen nanometrin viivanleveyteen.