SSD-asemien mallit, ominaisuudet ja hinnat

23.10.2013 23:59 |

 

Samsung SSD 840 EVO

Samsungin SSD 840 EVO on jatkoa kuluttajien keskuudessa erittäin suosituille 840- ja 840 Pro -sarjoille. Kuten mallinumerosta voi jo päätellä, kyseessä ei ole suoranainen seuraaja koko 840-tuoteperheelle, vaan EVO on pikemminkin lisäys, joka todennäköisesti myös korvaa 840-mallin ennen pitkää. EVO on saatavilla 120, 250, 500, 750 ja 1000 gigatavun kapasiteetilla, joista Muropaketin testipenkkiin saapui toiseksi suurin 750 gigatavun malli. Samsung on vasta toinen valmistaja Crucialin ohella, joka on julkaissut kuluttajille suunnatun yhden teratavun kokoisen aseman.

Samsung, SSD 840 EVO -tuotesivu

Samsung 840 EVOsta on myynnissä pelkkä asema tai erillinen Desktop Kit, jonka mukana toimitetaan adapteri 3,5-tuumaiseen asennuspaikkaan, SATA-kaapeli ja SATA-USB-adapteri. Kaikkien mallien mukana toimitetaan lisäksi asennusohje ja ohjelmistolevy Samsung SSD Magician- ja Data Migration -ohjelmilla. EVO-sarja on ollut Suomessa saatavilla jo jonkin aikaa ja artikkelin kirjoitushetkellä pelkän aseman hinnat ovat Muropaketin Hintavertailun mukaan kokojärjestyksessä alkaen noin 98, 170, 320, 460 ja 555 euroa.

Muropaketin Hintavertailu, Samsung 840 EVO

EVOssa on käytössä Samsungin uusi MEX-ohjainpiiri, joka tukee SATA 3.1 -standardia. MEX-ohjain pohjautuu edelleen kolmeen ARM Cortex R4 -ytimeen kuten edeltäjänsäkin, mutta ytimien kellotaajus on noussut 300 megahertsistä 400 MHz:iin. SATA 3.1 sen sijaan tuo tuen ”jonottavalle” TRIM-komennolle (queued TRIM), joka tarkoittaa, että käyttöjärjestelmän lähettäessä TRIM-komennon aseman ei ole pakko suorittaa sitä heti, vaan se voidaan asettaa jonoon ja suorittaa milloin parhaimmaksi nähdään. LPDDR2-1066 välimuistia on 120 gigatavun mallissa 256 megatavua, 250 ja 500 gigatavun malleissa 512 megatavua seka 750 ja 1000 gigatavun malleissa yksi gigatavu.

Myös muistipiirit on EVOssa päivitetty uudempaan versioon. Käytössä on Samsungin omia 19 nanometrin prosessilla valmistettuja TLC (3-bit-per-cell) muistipiirejä, kun vanhemmissa 840-sarjan mallien muistipiirit valmistettiin 21 nanometrin prosessilla. Valmistusprosessin pieneminen vaikuttaa suoraan piirien valmistuskustannuksiin, sillä yksittäisen piirin pinta-ala pienenee, jolloin yhdestä piikiekosta saadaan enemmän muistipiirejä. Samsung ei ole julkaissut tarkkoja tietoja muistipiirien ominaisuuksista, mutta yleisesti NAND-muistipiirien kestävyys ja suorituskyky heikkenevät hieman pienempään valmistusprosessiin siirryttäessä. Takuu on kuitenkin pysynyt kolmessa vuodessa, kuten edeltävässä 840-mallissa eikä Samsung ole asettanut takuun rajoitteeksi mitään tiettyä kirjoitusmäärää toisin kuin osa valmistajista.

Kävimme Samsung 840 Pro & 840 -artikkelissa pikaisesti läpi, kuinka TLC-muistipiirit eroavat yleisemmistä MLC-piireistä, mutta tässä on pikainen kertaus aiheesta. NAND-muistipiirit käyttävät apunaan jännitetasoja, jotta yhdelle transistorille voidaan koodata muitakin, kuin yhtä arvoa. MLC-piireissä jännitetasoja tarvitaan neljä, jotta kaikki neljä kahden bitin eri mahdollisuutta (00, 01, 10, 11) voidaan koodata yhdelle transistorille. Koska TLC-muistipiireissä yhdelle transistorille koodataan kolme bittiä, tarvitaan yhteensä kahdeksan eri jännitetasoa. Jännitetaso luodaan ”ampumalla” elektroneja sähkökentän ympäröimän piioksidin läpi, joka ilman sähkökenttää toimii eristeenä ja eristää elektronit kelluvaan hilaan (floating gate). Sähkökenttä kuitenkin kuluttaa piioksidia, jolloin osa elektroneista saattaa jäädä piioksidiin kiinni tai karata kelluvasta hilasta ohjelmoinnin jälkeen. TLC-tekniikan ongelmaksi koituu jännitetasojen välisen eron pieneminen, sillä jännitetasoja on enemmän kuin MLC-muisteissa. Kun elektroneja karkaa tai juuttuu, jännitetaso muuttuu samalla ilman, että itse ohjainpiiri on tietoinen asiasta. Ennen pitkää jännitetaso muuttuu niin paljon, että kaksi tasoa kohtaa eikä ohjainpiiri voi enää ohjelmoida NAND-piirille vaadittuja arvoja, jolloin se luopuu piirin käytöstä. Aiheesta kiinnostuneille AnandTechilla (englanniksi) on asiasta tarjolla vielä yksityiskohtaisempi selitys.

Pelkkien piiriuudistuksien lisäksi EVOssa on myös kaksi täysin uutta ominaisuutta. Ensimmäinen näistä on TurboWrite-ominaisuus, jolla on pyritty parantamaan kirjoitusnopeuksia. Kestävyysongelman ohella TLC-muistipiirien heikkous on hitaampi kirjoitusnopeus. Samsungin mukaan TLC-muistipiirit ovat noin 50 % hitaampia kuin heidän MLC-muistipiirit. Tätä ongelmaa on pyritty korjaamaan ohjelmoimalla osa jokaisesta muistipiiristä toimimaan SLC-moodissa. Toisin sanoen osaan piirin soluista kirjoitetaan vain yksi bitti, joka lyhentää vasteaikaa huomattavasti. SLC-osa piiristä toimii ikään kuin välimuistina, johon erityisesti pienet satunnaiskirjoitukset tallennetaan ennen niiden siirtmämistä varsinaiseen TLC-muistiin. Tämä ei suinkaan ole mitään uutta, vaan esimerkiksi SanDisk on käyttänyt vastaavanlaista nCache-tekniikkaa muun muassa heidän Ultra Plus SSD:ssä. TurboWrite-välimuistia on 120 Gt- ja 250 Gt -malleissa kolme gigatavua, 500 Gt -mallissa kuusi, 750 Gt -mallissa yhdeksän ja 1 Tt -mallissa kaksitoista gigatavua. TurboWrite ei kuitenkaan vaikuta käyttäjälle näkyvään kapasiteettiin, vaan tila otetaan aseman ylivarauksesta (over-provisioning).

Toinen EVOn uusista ominaisuuksista on RAPID-toiminto, joka on lyhenne sanoista Real-time Accelerated Processing of I/O Data (suomeksi datan prosessoinnin reaaliaikainen nopeutus). Kyseessä on jälleen eräänlainen välimuisti, sillä RAPID hyödyntää tietokoneen keskusmuistia eli RAMia kirjoitus- ja lukuoperaatioiden välimuistina. DDR3-muisti on edelleen huomattavasti nopeampaa kuin yksikään SSD ja esimerkiksi DDR3-1600-muistin huippunopeus on 12,8 gigatavua sekunnissa (25,6 Gt/s jos käytössä on kaksikanavainen muistinohjain). RAPID-toiminto käyttää maksimissaan yhden gigatavun keskusmuistia tai 25 prosenttia, jos järjestelmässä on alle neljä gigatavua keskusmuistia. RAPID ei ole automaattisesti päällä, vaan se täytyy kytkeä erikseen päälle Samsungin SSD Magician -ohjelmistosta. Samsung on myös luvannut RAPID-toiminnon tulevan myöhemmin 840 Pro -mallille, mutta tarkkaa aikataulua Samsung ei ole paljastanut.

 

OCZ Vertex 450

OCZ:n Vertex 450 on jatkoa OCZ:n suositulle Vertex-tuoteperheelle. Kyseessä ei kuitenkaan ole täysin uusi asema, vaan Vertex 450 pohjautuu samaan Barefoot 3 -ohjainpiiriin kuin OCZ:n lippulaivamalli Vector, jota emme ole valitettavasti päässeet Muropaketissa testaamaan. Myös Vertex 450 on jo saatavilla Suomesta ja tarjolla on 128, 256 ja 512 gigatavun mallit. Levyn mukana toimitetaan Acronis-kloonausohjelma ja adapteri 3,5-tuumaiseen asennuspaikkaan.

OCZ, Vertex 450 -tuotesivu

Muropaketin hintaseurannan mukaan 128 gigatavun malli maksaa alkaen 95 euroa, 256 Gt -malli alkaen 204 euroa ja 512 Gt -malli alkaen 449 euroa. Samsungin 840 EVOon verrattuna Vertex 450 on Suomessa hieman kalliimpi pois lukien pienin 128 gigatavun malli, joka kieltämättä asettaa paineita OCZ:n suuntaan.

Muropaketin Hintavertailu, OCZ Vertex 450

Vertex 450:ssä käytössä oleva Barefoot 3 -ohjainpiiri on OCZ:n ensimmäinen täysin itse suunittelema ohjainpiiri. Taustalla on OCZ ostamat PLX ja Indilinx, jotka ovat erikoistuneet SSD-asemissa käytettäviin ohjainpiireihin. OCZ muiden valmistajien ohella käyttikin Indilinxin ohjainpiirejä joissain vanhemmissa SSD-asemissaan. OCZ on julkaissut ohjaimesta vain olennaisimmat tiedot, jotka kertovat piirin sisältävän yhden ARM Cortex -ytimen ja yhden OCZ:n oma Aragon-apuytimen. Kellotaajuudet tai tarkemmat tiedot ytimien funktioista eivät ole tiedossa.

Toisin kuin Samsungilla, OCZ:lla ei ole omaa muistipiiritehdasta, joten Vertex 450:n muistipiirit ovat Intelin ja Micronin yhteisyritys IMFT:n valmistamat. Muistipiirit valmistetaan 20 nanometrin prosessilla, josta syntyy myös ero OCZ:n hieman kalliimpaan Vectoriin, jossa on käytössä IMFT:n 25 nanometrin muistipiirit.

IMFT lupaa uudelleenkirjoituskertoja (P/E cycles) sekä 20 että 25 nanometrin piireille kolme tuhatta, mutta 20 nanometrin piirit ovat suorituskyvyltään hieman heikompia. OCZ itse luokittelee Vertex 450:n kestävyydeksi tyypillisessä työpöytäkäytössä 20 gigatavua vuorokaudessa kolmen vuoden ajan, joka vastaa noin 22 teratavua dataa. Tämä on huomattavasti vähemmän kuin IMFT:n muisteillensa lupaava kestävyys, joka 128 Gt -mallille tekisi 384 teratavua, mutta kyseessä onkin yleensä konservatiivinen luku. Kestävyys toimii myös eri sarjojen erottajana, sillä OCZ lupaa Vectorin kestävyydeksi 20 Gt päivässä viiden vuoden ajan.

Sisältö

  1. Samsung 840 EVO (750 Gt) & OCZ Vertex 450 (256 Gt)
  2. SSD-asemien mallit, ominaisuudet ja hinnat
  3. Testikokoonpano & suorituskyky
  4. Loppuyhteenveto