Samsung on käynnistänyt 64-kerroksisten 3D V-NAND -muistipiirien massatuotannon

Samsung Electronis on saanut käyntiin uuden muistiteknologiansa massatuotannon. Yhtiön tavoitteena on kattaa NAND-muistituotannostaan puolet uusilla neljännen sukupolven V-NAND -muistisiruilla vuoden loppuun mennessä.

Uusien 64-kerroksisten muistipiirien tiedonsiirtonopeus on gigabitti sekunnissa. Muistin nopeutta mittaava tPROG-aika on saatu painettua 500 mikrosekuntiin, joka on Samsungin mukaan tällä hetkellä alan nopein tulos. Tämä on neljä kertaa nopeampi tulos kuin 10 nm:n yksiulotteisella NAND-muistilla ja noin 1,5 kertaa nopeampi tulos kuin yhtiön edellisen sukupolven 48-kerroksisella V-NAND -muistilla.

Uusi muistitekniikka on myös edeltäjäänsä verrattuna 30 prosenttia virtatehokkaampaa ja toimii noin 20 prosenttia luotettavammin. Samsung uskoo, että uudenlainen teknologia ohjaa massamuistiteollisuutta keskittymään enemmän luotettavuuteen ja laatuun, kuin määrään ja muistisirujen skaalautuvuuteen.