AMD lisensöi Z-RAM-tekniikan
Innovative Silicon on julkaissut tiedotteen, jonka mukaan AMD on lisensoinut siltä Z-RAM-tekniikan. Z-RAM-tekniikan odotetaan kasvattavan muistien tiheyden jopa viisinkertaiseksi nykytekniikalla ja vähentävän samalla tehonkulutusta. SRAM-tekniikkaan verrattuna Z-RAM on myös luotettavampi. Innovative Siliconin mukaan Z-RAM-piirejä on valmistettu 90 nanometrin SOI-prosessin lisäksi onnistuneesti kymmenellä muulla valmistustekniikalla. Ensimmäiset toimivat 65 nanometrin näytekappaleet valmistunevat vielä tämän vuosineljänneksen aikana.
Nykyprosessoreissa laajalti käytössä oleva SRAM-tekniikkaa vaatii yhteen muistisoluun kuusi transistoria. Z-RAM kykenee samaan käyttäen vain yhtä transistoria ilman erikoismateriaaleja tai valmistusteknisiä kikkailuja. Innovative Insights uskoo tekniikan tulevan tarpeeseen erityisesti mikroprosessoreissa, joissa välimuistit vievät yleensä yli puolet prosessorin kokonaispinta-alasta.
