Crossbarin RRAM-muistit valmiina tuotteistettavaksi

RRAM-muisteista (Resistive RAM) povataan yhtä varteenotettavaa NAND-muistien korvaajaa. RRAM-muistit skaalautuvat pienille valmistusprosesseille NAND-muisteja paremmin ja kirjoituskestävyys, latenssiviiveet sekä energiatehokkuus kokevat myös selvän parannuksen.

Uutisoimme 2013 Crossbar-nimisestä yrityksestä, joka on yksi RRAM-muistien kehityksen edelläkävijöistä. Yritys asetti tavoitteekseen saada RRAM-muistit markkinoille kolmen vuoden aikavälillä.   

Crossbarin RRAM-muistit ovat edenneet yrityksen mukaan viimeiseen massatuotantoa edeltävään tuotteistamisvaiheeseen. Yritys onnistui demonstroimaan RRAM-piirien tuotantoa perinteisillä CMOS-prosesseilla, mikä oli viimeinen edellytys massatuotannon aloittamiselle. Crossbar työskentelee nyt yhteistyökumppaneidensa kanssa sulautettua RRAM-muistia sisältävien piirien tuotteistamiseksi.

Ensimmäiset Crossbarin RRAM:ia sisältävät piirit ovat luvassa vuoden 2015 puolella. Yritys aikoo valmistaa tulevaisuudessa myös erillisiä RRAM-muistipiirejä, mutta ne tulevat markkinoille vasta yli vuoden sulautettuja ratkaisuja myöhemmin.

AnandTech, Crossbar’s Resistive RAM Technology Reaching Commercialisation Stage