GlobalFoundriesilta 14XM FinFET 3D -transistorivalmistustekniikka 2014

AMD:sta vuonna 2009 irroitettu piisiruvalmistaja GlobalFoundries on ilmoittanut aikovansa saada 14XM:ksi (eXtreme Mobility) kutsumansa mobiilipiireille tarkoitetun valmistusprosessin käyttöön vuonna 2014 ja kertoo prosessin olevan jo koekäytössä yhtiön uusimmassa tehtaassa lähellä New Yorkia. 14XM on GlobalFoundriesin ensimmäinen FinFETeiksi kutsuttuja 3D-transitoreita käyttävä prosessi.

GlobalFoundries on aiemmin ottanut käyttöön uuden valmistusprosessin kahden vuoden välein, mutta 14XM-prosessi aiotaan saada käyttöön jo vuodessa 20 nanometrin viivanleveyden jälkeen. Nopean siirtymän salaisuudeksi kerrotaan toimiviksi todettujen korkeiden saantojen 20 nanometrin välittäjien käyttäminen 14 nanometrin FinFETien kanssa puhtaan 14 nanometrin prosessin sijaan. Hybridivalmistusprosessi ei tule tarjoamaan puhtaan 14 nanometrin prosessin kaikkia etuja, mutta tehonkulutuksen kerrotaan paranevan kuitenkin 40-60 prosenttia verrattuna 20 nanometrin prosessiin.

Britannialaisen piirisuunnittelija ARMin kerrotaan ottavan prosessi käyttöön ensi tilassa, kiitos yhtiöiden monivuotisen yhteistyösopimuksen järjestelmäpiiriratkaisujen luomiseksi.

GlobalFoundries, Lehdistötiedote

GlobalFoundries, 14XM-teknologiasivu

bit-tech, GlobalFoundries announces 14nm FinFET process