IBM, Globalfoundries ja Samsung valmistivat piikiekon 5 nm:n teknologialla
IBM:n ja sen kumppaniyritykset GlobalFoundries ja Samsung ovat kertovat onnistuneensa luomaan 5 nanometrin viivanleveyden mahdollistavan piirilevyjen valmistusprosessin. Se sallii yhtiön mukaan 30 miljardin transistorin mahduttamisen sormenkynnen kokoiselle mikrosirulle.
Valmistaminen oli mahdollista kun valmistusprosessissa käytettiin päällekkäisiä, nanometrien paksuisia piikiekkoja transistorin rakenteena nykyään yleisen FinFET-arkkitehtuurin sijaan. Uusi valmistusprosessi on joko samalla virrankulutuksella 40 prosenttia tehokkaampi, tai kuluttaa 75 prosenttia vähemmän virtaa, mutta pystyy samaan laskentatehoon kuin 7 nm:n prosessilla valmistetut edeltäjänsä.
Uutta valmistusprosessia hyödyntäviä laitteita on lupa odottaa markkinoille vuoden 2019 paikkeilla. IBM ja muut tutkimuksessa mukana olleet tahot aikovat esitellä 5 nm:n prosessia tarkemmin myöhemmin tänä vuonna.