IBM loi hiilinanoputkitransistorin 9 nanometrin valmistusprosessilla
IBM on tehnyt läpimurron hiilinanoputkitransistoreissa. Hiilinanoputket ovat yksi ehdokkaista tulevaisuuden piirien valmistukseen, kun pii ei enää sovellu alati pieneneville valmistusprosesseille.
IBM:n mukaan hiilinanoputkitransistorien kanavan luonti on verrattaen helppoa, mutta sen kanavan kytkeminen johtoihin on ollut suurin päänvaiva tähän asti. Yhtiön mukaan se teki ongelman ratkovan läpimurron, kun se valmisti hiilinanoputken päihin kontaktit molybdeenistä. Molybdeenikontaktit voidaan yhdistää transistorien johtojen sivuille, mikä mahdollistaa transistorien pienentämisen ilman kontaktien resistanssin kasvamista.
IBM on toteuttanut tekniikan avulla 9 nanometrin hiilinanoputkitransistorin. Yhtiö uskoo tekniikan skaalautuvan 1,8 nanometriin asti. Seuraavat selvitettävät ongelmat ovat hiilinanoputkitransistorien välimatkan pienentäminen, metallisten nanoputkien poistaminen muiden joukosta ja nanoputkien sijoittaminen oikein toimivan piirin valmistamiseksi.
Tech Report, IBM claims key advance in carbon nanotube transistors
