Uusimmat

IBM suitsuttaa lisämuistin perään

14.02.2007 15:11 Ville Suvanto

IBM tulee siirtymään prosessoreidensa valmistuksessa 45 nanometrin prosessiin ensi vuonna, minkä myötä prosessoreiden SRAM-muisti tulee vaihtumaan eDRAM:ksi (Embedded DRAM). Muutos tulee mahdollistamaan jopa kolminkertaisen määrän muistia. IBM tulee esittelemään kehitystyön tuloksia tämän päivän aikana International Solid State Circuits Conference -tapahtumassa, kertoi IBM:n insinööri ja 45 nanometrin prosessin kehitysjohtaja Subu Iyer.

Nykypäivän prosessoreissa välimuisti on integroitu prosessoriin, mikä mahdollistaa usein käytettävän datan tallentamisen itse prosessorin lähelle ja sen lukemisen huomattavasti nopeammin, kuin jos välimuisti sijaitsisi ulkoisessa paikassa. Vuosien ajan valmistajat ovat käyttäneet SRAM:ia prosessoreissaan, mutta piirien pienentyessä SRAM on muodostunut ongelmaksi. Ongelmia ovat aiheuttaneet vuotovirrat ja suunnittelijat ovat kallistumassa eDRAM:n suuntaan, koska tämä vaatii vähemmän transistoreita ja vuotaa vähemmän.

Aiemmin ongelmana on kuitenkin ollut eDRAM:n käyttö SOI-teknologian (Silicon-On-Insulator) kanssa, jota IBM käyttää vähentämään vuotovirtoja transistoreista. IBM on jo käyttänyt eDRAM:ia Blue Gene -prosessoreissa, mutta näiden kahden tekniikan yhteiselon yritys aikoo nyt julkistaa ISSC-tapahtumassa, Iyer kertoo. IBM:n 45 nanometrin prosessilla valmistettavat prosessorit tulevat olemaan markkinoiden ensimmäisiä prosessoreita, jotka ottavat irti hyödyn eDRAM:sta, ja näitä voidaan odottaa markkinoille vuoden 2008 puolella. IBM uskoo kykenevänsä varustamaan prosessorit 24 – 48 megatavulla sisäistä välimuistia, kun tämän vuoden lopulla julkaistavissa Power 6 -prosessoreissa välimuistia on ainoastaan kahdeksan megatavua.

CNET News, More memory coming to future IBM chips