Intel ja Micron esittelivät tarkempia tietoja 3D NAND -flash-muisteistaan
Intel ja Micron ovat esitelleet eilen tarkempia yksityiskohtia 3D NAND -flash-muisteistaan. Ensimmäiset tiedot muisteista saatiin jo viime marraskuussa.
Yhtiöiden kehittämä 3D NAND -teknologia eroaa merkittävästi Samsungin ja Toshiban 3D NAND -teknologioista, sillä Intelin ja Micronin ratkaisu käyttää perinteisten NAND-muistien tavoin kelluvia hiloja. Samsung ja Toshiba ovat turvautuneet kelluvien hilojen sijasta Charge-trap-teknologiaa.
Intelin ja Micronin kehittämä 3D NAND -teknologia mahdollistaa MLC-tekniikalla 256 gigabitin ja TLC-tekniikalla 384 Gb:n flash-muistipiirien luonnin. Flash-solut pinotaan muisteissa 32 kerrokseen. MLC-versio piireistä on parhaillaan yhtiöiden partnereiden testattavana. TLC-soluihin perustuvat piirit saadaan partnereiden käsiin myöhemmin kevään aikana.