Uusimmat

Intel ottaa käyttöön III-V-puolijohteet ja QWFET-transistorit 10 nm:n viivanleveydellä?

26.04.2015 21:40 Juha Jäntti

Real World Technologies -sivuston analyytikko David Kanter ennusti, että Intel tulisi ottamaan käyttöön III-V-puolijohteet ja QWFET-transistorit (Quantum Well FET) 10 nanometrin viivanleveyteen siirtymisen yhteydessä. Intelin QWFET-tutkimus on vuosien aikana onnistunut tuottamaan niin planaari- kuin FinFET-tyyppisiä QWFET-transistoreita ja perinteisten piitransistoreiden lähestyessä tiensä päätä ennuste saattaa hyvinkin pitää paikkansa.

Menemättä monimutkaisen puolijohdefysiikan puolelle, uudet valmistusmateriaalit ja QWFET-transistorit mahdollistavat aikaisempaa pienemmät käyttöjännitteet ja matalammat vuotovirrat tuoden potentiaalisesti merkittävän parannuksen piirien energiatehokkuuteen. Intel on aikaisemmin maininnut puhuessaan tulevista 10 nm:n ja 7 nm:n valmistusprosesseista, että uudet innovaatiot materiaalien ja piirisuunnittelun saralla ovat välttämättömiä Mooren lain mukaisen skaalautumisen ylläpitämiseksi.

RWT, What’s Next for Moore’s Law? For Intel, III+V = 10nm QWFETs