Intel sijoittaa jänniteregulaattorin Haswell-prosessoreihin

Japanilaiselta PC Watch -sivustolta löytyy tietoa Intelin tulevista Haswell-koodinimellisistä prosessoreista, jotka valmistetaan 22 nanometrin prosessilla ja joissa on käytössä uusi arkkitehtuuri. Luvassa on parannuksia suorituskykyyn ja erilaisia ratkaisuja tehonkulutuksen laskemiseksi. PC Watchin mukaan yksi merkittävimmistä uudistuksista tehonkulutuksen näkökulmasta on Intelin päätös integroida Haswell-prosessoreihin jänniteregulaattori (Voltage Regulator Module, VRM).

Nykyisissä Ivy Bridge -aikakauden alustoissa jänniteregulointi on sijoitettu emolevylle, mutta ratkaisut ovat vuosien saatossa monimutkaistuneet ja niiden hinnat ovat nousseet. Intelin päätöstä sijoittaa VRM suoraan prosessorin kotelointiin on tukenut myös se syy, ettei Intel ole ollut tyytyväinen nykyisten emolevylle sijoitettujen ratkaisujen suorituskykyyn.

Intel on kehittänyt ohjelmoitavan piirin 20 tehosolulla (Power Cell), joista jokainen solu on pieni jänniteregulaattori, joka kykenee maksimissaan 25 ampeerin virransyöttöön ja tukee maksimissaan 16 vaihetta. Täydessä potentiaalissa Intelin piiri kykenisi näin ollen 320 vaiheeseen. Kyseinen piiri valmistetaan varsinaisen prosessoripiirin tavoin 22 nanometrin prosessilla ja sijoitetaan koteloinnissa prosessoripiirin viereen.

PC Watch, ”Integrated Voltage Regulator” strongest weapon ”Haswell” (Google Translate)