Uusimmat

Intelin dia vertailee tuoreimpia valmistusprosesseja

20.02.2015 17:04 Petrus Laine

Moor Insights & Strategy -yhtiön perustaja ja analyytikko Patrick Moorhead on twiitannut Intelin tuoreen dian, joka vertailee eri puolijohdevalmistajien tuoreimpia valmistusprosesseja keskenään. Vertailussa ovat Intelin 22 ja 14 nanometrin prosessit, TSMC:n 16 nanometrin prosessi ja Samsungin 14 nanometrin prosessi.

Dian mukaan Intelin 14 nanometrin prosessi on kilpailijoitaan selvästi edellä prosessilla valmistettujen transistorien koon suhteen. SRAM-solun pinta-alaa verrattaessa Intelin 14 nm prosessi tuottaa 0,0588 um2 soluja, kun Samsungin 14 nm prosessilla solun koko on 0,0645 um2 ja TSMC:n 16 nm prosessilla 0,0700 um2. FinFET-transistorin evän jakoväli (pitch, minimi viivanleveys + viivojen välinen etäisyys) on Intelin 14 nm prosessilla 42 nm, kun se TSMC:n 16 nm ja Samsungin 14 nm prosessilla on 48 nm. Myös transistorin hilan ja liitäntöjen jakovälit ovat Intelillä kilpailijoitaan edellä – jopa siihen pisteeseen että transitorin hilan jakoväli Intelin 22 nm prosessilla on sama kuin TSMC:n 16 nm prosessilla.

Twitter, Patrick Moorhead on Twitter: ”No, all 14nm processes are not the same…”