Uusimmat

NOR:n korvaajaksi PRAM?

12.09.2006 19:34 Ville Suvanto

Samsung Electronics on esitellyt uuden tekniikan, joka yrityksen mukaan tulee lopulta korvaamaan NOR-flashmuistit paremman suorituskyvyn, luotettavuuden ja alemman hinnan ansiosta. Samsung demonstroi ensimmäistä 512 megabitin prototyyppiä Phase-change Random Access Memory -muistista (PRAM) ja kertoi, että lopulliset tuotteet tulevat saataville jo vuoden 2008 aikana. Samsung väittää, että seuraavan vuosikymmenen aikana PRAM tullee olemaan pääasiallinen laite muistitallennuksessa ja tulee korvaamaan NOR-flashin.

PRAM osaa uudelleenkirjoittaa dataa ilman, että sen pitäisi ensiksi poistaa muistiin kertynyttä dataa, joten normaaleihin flashmuisteihin verrattuna se on jopa 30-kertaa nopeampi, mainostaa Samsung. Lisäksi PRAM:lle povataan ainakin 10-kertainen elinikä. Samsung on omien sanojensa mukaan suunnitellut PRAM-flashpiirin niin, että sen koko on ainoastaan puolet NOR-flashpiiristä, ja valmistus vaatii 20 prosenttia vähemmän työvaiheita.

Samsung, Lehdistötiedote

X-bit labs, Samsung Unveils New Type of Flash Memory