Uusimmat

Samsung aikoo kilpailla 3D XPoint -SSD-asemia vastaan uusilla Z-SSD-asemilla ja Z-NAND-muisteilla

12.08.2016 16:21 Petrus Laine

Samsung Z-NAND ja Z-SSD

Samsung on esitellyt Flash Memory Summit 2016 -tapahtumassa useita tuotteita, mutta yksi herättää epäilemättä kiinnostusta yli muiden. Yhtiön tulevat Z-NAND-muistipiirit ja niistä rakennetut Z-SSD-asemat on tarkoitettu kilpailemaan Intelin ja Micronin 3D XPoint -SSD-asemia vastaan.

Samsungin esittelemät uudet Z-NAND-muistipiirit on tarkoitettu markkinoille kilpailemaan 3D XPoint muisteja vastaan. Valitettavasti Samsung ei paljastanut tarkemmin, mistä uusissa Z-NAND-muisteiss on kyse, ja suorituskykyvertailuissakin 3D XPoint loisti poissaolollaan. 3D XPointin poissaololle on kuitenkin luonnollinen syy: siihen perustuvat tuotteet ovat edelleen kehityksen alla, jolloin Samsungilla ei ole tarkkaa dataa niiden suorituskyvystä.

Samsung Z-NAND ja Z-SSD

Samsungin omissa suorituskykyvertailuissa Z-NANDiin perustuvia SSD-asemia verrattiin yhtiön omiin PM963 NVMe SSD-asemaan ja PRAM-muisteihin perustuvaan tarkemmin määrittelemättömään ratkaisuun. Kyseessä on AnandTechin mukaan luultavimmin teknologia, jota Samsung kehitteli aiemmin, mutta josta se on ilmeisesti luopunut Z-NANDin vuoksi.

Samsung Z-NAND ja Z-SSD

Samsungin dioista puuttui valitettavasti täysin kaiken sortin suorituskykyluvut, joten suorituskykyä on arvioitava silmämääräisesti palkkien pituuksien perusteella, luottaen niiden lähtevän liikkeelle nollasta. Sarjalukunopeudessa PRAM-pohjaisen ratkaisun kerrotaan tarjoavan noin kolmanneksen parempaa suorituskykyä, kuin PM963, kun Z-SSD lyö tauluun noin kaksinkertaisen suorituskyvyn PM963:een nähden. 4 kt:n lukutestissä Z-SSD:n ja PRAMin viiveet ovat hyvin samankaltaiset, eli murto-osa PM963:n viiveistä. Käytännön testeissä palvelinkäytössä Z-SSD peittoaa PRAMin niukasti molempien tarjotessa noin kaksinkertaista suorituskykyä NVMe-ratkaisuun verrattuna. Isoja datamääriä käsittelevässä testissä Z-SSD tarjoaa jälleen noin kaksinkertaista suorituskykyä NVMe-ratkaisuun nähden, ja 20 % parempaa suorituskykyä kuin PRAM. Energiatehokkuusmittauksista Samsungin PM963 NVMe -SSD-asema uupui kokonaan, mutta niissä Z-SSD:n luvataan tarjoavan peräti 2,6-kertaista suorituskykyä per watti verrattuna PRAM-ratkaisuun. Testitulokset ovat osittain Samsungin emulaattoreilla saatuihin tuloksiin perustuvia. Voit tutustua tarkemmin tuloksiin AnandTechin artikkellista.