Samsung aloittaa 128 gigatavun DDR4-muistien tuotannon
Samsung on tänään ilmoittanut aloittavansa 128 gigatavun rekisteröityjen DDR4-muistien massatuotannon, jotka on tarkoitettu palvelinkäyttöön. Tämän kokoluokan muisteja on nähty aikaisemminkin, mutta Samsung on nyt ensimmäinen massatuotannon aloittava valmistaja.
Muistit perustuvat TSV-rakenteeseen (Through Silicon Via), jota Samsung on käyttänyt aikaisemmin 64 gigatavun muisteissaan. 20 nanometrin valmistusprosessilla valmistetut 128 gigatavun muistit muodostuvat yhteensä 144:stä muistimoduulista, jotka on jaoteltu 36:een neljän gigatavun muistipiiriin.
TSV-rakenteen piin läpiviennit sekä muistipuskurin siirtäminen isäntäpiirille mahdollistavat Samsungin mukaan kaksinkertaisen suorituskyvyn noin puolella tehonkulutuksella verrattuna perinteisiin muistipiireihin ja sisäiseen wire-bonding -langoitukseen.