Samsung aloittaa 128 gigatavun DDR4-muistien tuotannon

26.11.2015 17:45 | Eero Mäensivu | 1

samsung-ddr4

Samsung on tänään ilmoittanut aloittavansa 128 gigatavun rekisteröityjen DDR4-muistien massatuotannon, jotka on tarkoitettu palvelinkäyttöön. Tämän kokoluokan muisteja on nähty aikaisemminkin, mutta Samsung on nyt ensimmäinen massatuotannon aloittava valmistaja.

Muistit perustuvat TSV-rakenteeseen (Through  Silicon Via), jota Samsung on käyttänyt aikaisemmin 64 gigatavun muisteissaan. 20 nanometrin valmistusprosessilla valmistetut 128 gigatavun muistit muodostuvat yhteensä 144:stä muistimoduulista, jotka on jaoteltu 36:een neljän gigatavun muistipiiriin.

tsv-construct

TSV-rakenteen piin läpiviennit sekä muistipuskurin siirtäminen isäntäpiirille mahdollistavat Samsungin mukaan kaksinkertaisen suorituskyvyn noin puolella tehonkulutuksella verrattuna perinteisiin muistipiireihin ja sisäiseen wire-bonding -langoitukseen.

Samsung Newsroom, Samsung’s New 128GB DDR4 with TSV

Keskustelu

Näissä menee homma pikkuhiljaa vaikeaksi suomenkielen kanssa, mutta perus jako on:
-koteloitu komponentti sisältää yhden tai useamman piirin, joka on puolijohdekiekolta leikattu. Moduuli sisältää piirikortin ja sille liitettynä yhden tai useamman komponentin.

Kaiken maailman CSP, interposer, MCM, SoC, 3D/2,D piirit ja sen semmoiset hämärtävät kyllä perusjakoa, mutta interposer on kaiketi liitosalusta ja yhden tai useamman D:n piirit edelleen piirejä.

Lastut ja kammat pitää kait kukkahattusedänkin vain sietää.

Muropaketin uusimmat