Samsung esitteli maailman ensimmäiset TLC 3D V-NAND-flash -muistipiirit

Samsung on julkaissut Flash Memory Summit -tapahtumassa TLC-version 3D V-NAND-flash -muistipiireistään. Uudet TLC V-NAND-flash -muistipiirit rakentuvat 32 kerroksesta toisen sukupolven MLC V-NAND-flash -muistipiirien tapaan.

Uudet V-Nand-flash-muistipiirit ovat kooltaan 128 gigabittisiä. Samsung uskoo pystyvänsä kasvattamaan niiden kapasiteetin 256 gigabittiin ensi vuoden aikana. Yhtiön edustajan mukaan V-NAND-flash-muistipiirit ovat nyt päässeet kustannuksiltaan siihen pisteeseen, että yhtiö pystyy lähivuosina laskemaan niiden hintoja per gigatavu. Uudet TLC 3D V-NAND-flash-muistipiirit tulevat ensimmäisenä käyttöön lähiaikoina julkaistavissa Samsung 850 EVO -SSD-asemissa.

EETimes, Samsung tips 3-Bit Vertical NAND

PC Perspective, FMS 2014: Samsung announces 3D TLC VNAND, Storage Intelligence initiative