Samsung ja TSMC kertoivat tulevien puolijohdevalmistusprosessien aikatauluja
Samsung on kertonut tulevaisuuden suunnitelmistaan 10 nanometrin FinFET-valmistusprosessin suhteen. Korealaisvalmistaja uskoo voivansa aloittaa riskituotannon uudella prosessilla vielä kuluvana vuonna, ja massatuotannon vuoden 2016 jälkimmäisellä puoliskolla. 10 nanometrin FinFET-prosessi parantaa puolijohdepiirien energiatehokkuutta, suorituskykyä ja pienentää transistorien vaatimaa pinta-alaa. 14 nanometrin FinFET-prosessin tapaan Samsung valmistanee uudella prosessilla ensimmäisenä vähävirtaisia ja energiatehokkaita mobiilijärjestelmäpiirejä.
Samsungin ohella maailman suurimpiin puolijohdevalmistajiin kuuluva TSMC on esitellyt niin ikään omia 10 nanometrin suunnitelmiaan. Yhtiön suunnitelmien mukaan massatuotanto 10 nanometrin FinFET-prosessilla voidaan aloittaa vuoden 2016 lopulla tai aivan vuoden 2017 alussa. Ensimmäiset testikappaleet 7 nanometrin FinFET-prosessilla aiotaan saada puolestaan valmiiksi vuoden 2017 puolivälissä.
TSMC aikoo ottaa käyttöön EUV-tekniikan (Extreme ultraviolet lithography) testimielessä 7 nm:n prosessilla, mutta massatuontantoon tekniikka aiotaan ottaa mukaan vasta 5 nanometrin prosessilla. Aiemmin uutisoimassamme, IBM:n valmistamassa maailman ensimmäisessä 7 nanometrin testipiirissä käytettiin hyväksi EUV-tekniikkaa.
