Uusimmat

Samsung julkaisi uusiin 3-bit V-NAND -piireihin perustuvat EVO 850 -SSD-asemat

08.12.2014 18:48 Petrus Laine

Samsung on julkaissut tänään 850 EVO -SSD-aseman. Samsung 850 EVO on ensimmäinen yhtiön uusia 3-bittisiä, 40 nanometrin prosessilla valmistettavia TLC-tyyppisiä 3D Vertical NAND -flash-piirejä (V-NAND) käyttävä SSD-asema. Samsung 850 EVO tulee saataville 120, 250, 500 ja 1000 gigatavun kapasiteeteilla.

Uusien 3-bittisten V-NAND-flash-piirien lisäksi SSD-asemissa on käytössä yhtiön oma ohjainpiiri, mallista riippuen joko uusi Samsung MGX tai 840 Evo- ja 850 Pro -malleista tuttu Samsung MEX. MGX-ohjainpiirin tarkemmat tiedot ovat vielä hataria, mutta Muropaketistakin tutun, AnandTechin SSD-vastaavan Kristian Vätön tietojen mukaan MGX sisältää kaksi ARM Cortex-R4 -ydintä. MEX-ohjainpiirissä Cortex-R4-ytimiä on käytössä kolme.

Samsung 850 EVO -SSD-asemien tarkemmat ominaisuudet ja suorituskyky vaihtelee hieman mallin kapasiteetin mukaan. Kaikille malleille luvataan kuitenkin maksimissaan 540 Mt/s kirjoitus- ja 520 Mt/s lukunopeus. Samsung käyttää 850 EVO -SSD-asemissa LPDDR2-välimuistia, jota on 120 Gt mallissa 256 Mt, 250 ja 500 Gt malleissa 512 Mt ja 1000 Gt mallissa 1 Gt. 4Kt-satunnaiskirjoituksissa suorituskyvyn luvataan olevan mallista riippuen 94 000 – 98 000 IOPSia ja 4Kt-satunnaisluvuissa puolestaan 88 000 – 90 000 IOPSia. 120 ja 250 Gt -mallien luvataan kestävän 75 teratavun edestä kirjoitusta (41 Gt per päivä), kun 500 ja 1000 Gt -mallien keston luvataan olevan 150 teratavua (82 Gt per päivä). Puolueettomia suorituskykymittauksia voi lukea esimerkiksi uutisen linkeistä löytyvästä AnandTechin testistä.

Samsungin verottomat suositushinnat ovat 100 Gt:n mallille 100 dollaria, 250 Gt:n mallille 150 dollaria, 500 Gt:n mallille 270 dollaria ja 1000 Gt:n mallille 500 dollaria. Yhtiö myöntää asemille viiden vuoden takuun.

AnandTech, Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Samsung, Samsung SSD 850 EVO Overview