Samsung kertoi milloin se alkaa valmistaa piirejä 2, 3 ja 4 nanometrin prosessilla

10.10.2021 16:22 | Muropaketin toimitus

Samsung julkisti suunnitelmansa kahden, kolmen ja neljän nanometrin valmistustekniikoihin perustuvien puolijohdesirujen massatuotannosta. Luvassa on parempaa suorituskykyä ja energiatehokkuutta.

Samsung Foundry paljasti, että se aloittaa massatuotannon ensimmäisen sukupolven kolmen nanometrin valmistusprosessilla vuoden 2022 ensimmäisellä puoliskolla. Samsungin toisen sukupolven kolmen nanometrin valmistusprosessi on valmis massatuotantoon joskus vuonna 2023. Samsung on jo aloittanut neljän nanometrin piirien massatuotannon.

Yhtiön kolmen nanometrin prosessi hyödyntää GAA (Gate All Around)- ja MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) -teknologioita. Ne mahdollistavat 35 prosenttia kompaktimman valmistuksen, 30 prosenttia paremman suorituskyvyn ja 50 prosenttia pienemmän virrankulutuksen verrattuna viiden nanometrin valmistusprosessiin.

Yhtiö kertoi myös, että kolmen nanometrin valmistuslaatu lähestyy neljän nanometrin tasoa, jonka ansiosta siruja päätyy vähemmän hylätyksi. Samsung sanoi niin ikään kehittävänsä parhaillaan kahden nanometrin valmistusprosessia, ja yhtiö odottaa aloittavansa kahden nanometrin sirujen massatuotannon vuonna 2025.