Samsung suunnittelee loikkaa neljään nanometriin
Samsung on kertonut suunnitelmistaan Samsung Foundry Forum 2017 -tapahtumassa liittyen tulevaisuuden siruvalmistustekniikkaan. Tapahtumassa puhuneen Samsungin edustajan mukaan kahdeksan nanometrin LPP (Low Power Plus) -tekniiikka tarjoaa kilpailukykyisimmän ratkaisun ennen siirtymistä EUV (Extreme UltraViolet) -teknologian käyttöön.
Ensimmäiset EUV-tekniikkaa hyödyntävät sirut valmistetaan seitsemän nanometrin viivanleveydellä. Tekniikka on jo olemassa, Samsung on kehittänyt sen yhdessä hollantilaisen ASML:n kanssa. Vieläkin tiheämmäksi päästään ottamalla käyttöön uuden sukupolven MBCFET-transistoritekniikka. Sen avulla ohitetaan monet nykyisen FinFET-tekniikan rajoituksista, ja valmistuksessa on suunnitelmissa hyödyntää neljän nanometrin viivanleveyttä. Internet of Things -laitteissa käytettävien sirujen 28 nanometrin siruvalmistusprosessia ollaan myös kehittämässä, mutta niiden osalta tähtäin on asetettu maltillisempaan 18 nanometriin.
