Samsungin aloite pyrkii parantamaan SSD-asemien älykkyyttä ja nopeutta
Uusien TLC 3D V-NAND-flash -muistipiirien ohella Samsung esitteli Storage Intelligence -aloitteen. Aloitteen ideana on optimoida SSD-asemien toimintaa ja niiden ohjainpiirien kapasiteetin parempaa käyttöä.
Tällä hetkellä SSD-asemat toimivat hyvin sattumanvaraisesti kirjoittaessaan tietoja asemalle. Samsungin aloitteen ideana on muuttaa käytäntöä siten, että saman tiedoston osaset kirjoitetaan yhtenä ryhmänä eikä sekaisin miten sattuu. Tämä toteutetaan ohjelmiston ja SSD-aseman yhteistyöllä, joka antaa ohjelmistolle enemmän valtaa miten ja mihin tietoa SSD-asemalla kirjoitetaan.
Samsungin testien mukaan Multi-stream-teknologialla varustetun SSD-aseman lukuoperaatiot nopeutuvat huomattavasti, kun alimmatkin piikit nopeudessa ovat yli 50 000 IOPSia (Input/Output Operations per Second) ja suurimman osan ajasta nopeus on noin 60 000 IOPSia. Ilman Multi-stream-teknologiaa lukuoperaatioiden nopeus hyppii jatkuvasti 30 000 ja 60 000 IOPSin välillä.
Samaa konseptia noudattaa myös SSD-aseman garbage collection -prosessin optimointi. Antamalla ohjelmistolle vallan hallita garbage collectionin ajoituksia, Samsung onnistui laskemaaat tarvittavien IOPSien määrän jopa tuhat kertaa nykymetodeja pienemmäksi.
EETimes, Samsung tips 3-Bit Vertical NAND
PC Perspective, FMS 2014: Samsung announces 3D TLC VNAND, Storage Intelligence initiative
