TSMC tähtää jo kahden nanometrin valmistusprosessiin – ei mene enää montaa vuotta
Taiwanilainen puolijohdevalmistaja TSMC kertoi teknologiamaailman mielialoja hyväilevästä uutisesta. Heiltä on tulossa entistä kapeamman viivanleveyden valmistusprosessi jo lähivuosina.
TSMC perusti viime vuonna tutkimus- ja kehitystyöryhmän kehittämään kapeamman viivanleveyden valmistusprosessia siruvalmistusta varten. Työ on kantamassa nyt hedelmää.
TSMC:tä lähellä olevissa toimitusketjuissa toimivat lähteet väittävät, että valmistaja on tehnyt läpimurron 2 nanometrin valmistusprosessissa, joka perustuu MCBFET (Multi-Bridge Channel Field Transistor) -nimiseen teknologiaan. Sen kerrotaan ratkaisevan kapeamman viivanleveyden kehitystyötä vaivanneet FinFET-transistoreiden fyysiset rajoitukset.
Lähteiden mukaan TSMC uskoo tuottavansa koe-erissä jo vuoden 2023 toisella puoliskolla 2 nanometrin piirejä, joista toimisi 90 prosenttia. Massatuotanto olisi mahdollista ehkä jo vuonna 2024.
