UUSIMMAT

TSMC:n 16 nanometrin FinFET-prosessi vihdoin tuotantokunnossa

26.09.2014 19:13 Juha Jäntti

TSMC:n viivästynyt seuraavan sukupolven 16 nanometrin viivanleveyden FinFET-valmistusprosessi on viimein päässyt riskituotantovaiheeseen. Yritys kehuu valmistusprosessin laskevan tehonkulutusta 60 prosenttia samalla suorituskyvyllä tai vaihtoehtoisesti nostavan suorituskykyä 40 prosentilla samalla tehonkulutuksella verrattuna TSMC:n 28 nm:n HPM-prosessiin. Myös uuden prosessin saantojen kerrotaan olevan hyvällä mallilla. Laajamittainen massatuotanto odotuttaa vielä itseään, mutta nyt TSMC kertoi saaneensa valmiiksi ensimmäiset täysin toimivat 16 nm:n FinFET-prosessilla valmistetut prosessorit.

Kyseessä on HiSiliconin 32-ytiminen ARMv8–arkkitehtuuriin pohjautuva tietoliikenneprosessori, joka hyödyntää TSMC:n kehittyneitä CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) 3D-pakkausteknologioita integroimalla samalle piisubstraattialustalle kaveriksi 28 nm:n viivanleveydellä valmistetun I/O-liitäntäpiirin.

TSMC, TSMC Delivers First Fully Functional 16FinFET Networking Processor