Samsung aloitti markkinoiden ensimmäisen 10 nm prosessilla valmistettavan järjestelmäpiirin tuotannon

Samsung on ilmoittanut eilen julkaisemassaan tiedotteessa aloittaneensa markkinoiden ensimmäisen 10 nanometrin prosessilla valmistetavan järjestelmäpiirin tuotannon. Piirin valmistuksessa hyödynnetään FinFET-tekniikkaa (10LPE). Yrityksen 14 nm:n järjestelmäpiireihin verrattuna uudessa piirissä käytetään edistynyttä 3D-transistorirakennetta, jonka kerrotaan mahdollistavan jopa 30 % suuremman pinta-alatehokkuuden, 27 % korkeamman suorituskyvyn sekä 40 % alhaisemman virrankulutuksen.

Ensimmäisen Samsungin 10 nm tekniikalla varustetun järjestelmäpiirin kerrotaan saapuvan markkinoille ensi vuoden alussa. Toisen sukupolven 10 nm tekniikalla (10LPP) valmistettavien piirien tuotannon arvioidaan alkavan ensi vuoden toisella puoliskolla.