Samsung laajensi NAND-piirin kolmanteen ulottuvuuteen
3D-puolijohdepiireistä on puhuttu jo pitkään, mutta ne eivät ole siirtyneet massatuotantoon aivan odotetunlaisesti. Intel julkaisi Tri-Gate-transistoriteknologian Ivy Bridge -prosessoreiden yhteydessä viime vuoden keväällä, mutta kyseessä ei ole oikea 3D-teknologia.
Samsung on nyt julkaissut V-NAND-teknologian (Vertical NAND), jota se mainostaa markkinoiden ensimmäisenä kyseisen alan piirinä, joka on massatuotannossa. V-NAND:ssa elektronit napataan johtamattomaan piinitraattikerrokseen, joita voi olla maksimissaan 24 kappaletta. Arkkitehtuuri vähentää samalla solujen välisiä häiriöitä, jotka ovat olleet ongelmana siirryttäessä pienempiin valmistusteknologioihin.
Samsungin ensimmäisenä massatuotantoon siirtyneet V-NAND-piirit ovat 128-gigabittisiä (16 Gt), mutta yritys ei ole paljastanut, kuinka monta kerrosta niissä on käytössä. Samsungin omien sanojen mukaan se kykenee skaalaamaan teknologiaa terabitin suuruisiin piireihin (128 Gt).
