Crossbar uhoaa RRAM:n päihittävän NAND:n
Crossbar-niminen yritys on julkaissut RRAM-nimisen teknologian (Resistive RAM), jonka se väittää kykenevän käsittelemään yhden teratavun tallennuskapasiteettia yhdessä piirissä. Kyseinen datamäärä on ahdettu 200 neliömillimetrin kokoiseen piiriin ja etuna on mahdollisuus pinota kyseisiä piirejä päällekkäin. NAND-flash-muistipiireihin verrattuna Crossbar mainostaa RRAM:n kykenevän 20-kertaiseen kirjoitusnopeuteen 20-osalla tehonkulutuksesta. RRAM-piirien valmistusprosessi kyetään toteuttamaan normaaleilla CMOS-tuotantolinjoilla.
Crossbar ei ole toistaiseksi kommentoinut RRAM-piirien valmistuskustannuksia ja sen mukaan kustannukset riippuvat monista eri asioista, kuten tuotantomääristä. Yritys valotti suuntaa kuitenkin sen verran, että kertoi NAND:iin verrattavissa olevilla kustannuksilla RRAM:n tarjoavan kaksinkertaisesti tallennuskapasiteettia huomattavasti paremmalla suorituskyvyllä. Solujen luvataan kestävän miljoona kirjoitussykliä.
Crossbarin tavoitteena on saada ulos 2-3 vuoden aikajänteellä ratkaisuja sulautettuihin järjestelmiin, minkä jälkeen luvassa on Crossbarin omia tuotteita ja lopulta se tulee lisensoimaan teknologiaansa muiden yritysten käyttöön.
