Hiilinanoputkiin perustuva NRAM-muisti: Nopeaa ja kestävää

Nantero on työskennellyt jo vuodesta 2001 asti uudentyyppisten muistien parissa. Nanteron suunnittelemat NRAM-muistit säilyttävät datansa myös silloin, kun virta katkaistaan. Tästä huolimatta sen kerrotaan kykenevän kilpailemaan nopeudesta DRAM-muistitekniikoiden kanssa.

NRAM-tekniikan ydin on hiilinanoputket. Jokainen NRAM-solu sisältää hiilinanoputkijoukon, jotka määräävät muistisolun tilan: syöttämällä jännitettä nanoputket saadaan vaihtamaan tilaansa, ne joko koskevat toisiaan tai pysyvät toisistaan erillään. Muutoksen kerrotaan tapahtuvan pikosekunneissa. Ensimmäiset NRAM-muistit tulevat käyttämään DDR4-muististandardia, vaikkei se pystykään ottamaan muistityypistä kaikkea irti.

NRAM-muistien kerrotaan kestävän käytännössä ikuisesti, testipiirien kerrotaan käyneen jo läpi biljoona kirjoituskertaa ja tuhat biljoonaa lukukertaa. Myös fyysisen kestävyyden luvataan olevan huippuluokkaa, testipiirejä on testattu erittäin kuumissa ja kylmissä olosuhteissa, magneettien lähellä ja säteilyn alaisina ilman, että ne olisivat siihen hajonneet. Testipiirin kerrotaan jopa selvinneen matkalta avaruudessa paljaaltaan Atlantis-sukkulan avonaisessa lastitilassa.

NRAM-muisteja voidaan tuottaa perinteisissä puolijohdelaitoksissa. Nanteron toimitusjohtaja Greg Schmergelin mukaan yhtiö työskentelee parhaillaan kahden suuren puolijohdevalmistajan kanssa ja että yhtiön hiilinanoputkitekniikkaa integroidaan parhaillaan osaksi seitsemää eri tuotantolaitosta.

Nantero ei tule valmistamaan muisteja itse, vaan lisensoi tekniikkaansa muille. Yhtiöllä kaikki valttikortit ovat sen käsissään, sillä sen patenttiportfolioon kuuluu muun muassa maailman ainut tapa puhdistaa hiilinanoputkia CMOS-tuotantolaitosten vaatimalle tasolle. Patentoidun tavan kerrotaan olevan yhteensopiva tehtaiden valmiiden laitteiden kanssa eikä vaadi ylimääräisiä investointeja valmistajalta.

Tech Report, Nanotube-infused NRAM promises DRAM speeds with unlimited endurance