Hynix esitteli 512 megabitin 200 MHz:n DRAM-piirin

Hynix on esitellyt 512 megabitin DRAM-piirin, joka toimii 200 MHz:n kellotaajuudella, joka on näin ollen toistaiseksi nopein ja pienin mobiilikäyttöön suunnattu DRAM-piiri. Yritys mainitsi myös olevansa loppusuoralla vaihetta, jonka päätteeksi se saa maailman ensimmäisen validoinnin suurelta mobiilipiirisarjayritykseltä.

Käyttämällä 32 bittiä leveitä I/O:ita, Hynix mainostaa sen 512 megabitin DDR SDRAM -piirin kykenevän prosessoimaan 1,6 gigatavua (400 bps x 32) dataa sekunnissa. Tämä on nopeudeltaan suurin piirtein 1,5-kertainen yrityksen aiempaan suorituskykyisimpään mobiilikäyttöön tarkoitettuun DRAM-tuotteeseen verrattuna. Piiri itsessään on fyysiseltään kooltaan 8 x 10 millimetriä.

DigiTimes, Hynix introduces 512Mbit mobile DRAM in 200MHz