Samsung valmistelee 32 gigatavun muistikampoja
Samsung on ilmoittanut valmistaneensa maailman ensimmäisen neljän gigabitin (512 megatavun) DDR3-muistipiirin, minkä myötä yritys kykenee tuplaamaan DRAM-muistikampojen kapasiteetin. Uudet neljän gigabitin muistipiirit valmistetaan 50 nanometrin prosessilla ja high-end-markkinoille suunnatuissa muistikammoissa kapasiteetti kyetään kasvattamaan 32 gigatavuun.
Neljän gigabitin DDR3-muistipiirit vaativat 1,35 voltin käyttöjännitteen toimiakseen, kun DDR3-spesifikaatiot määrittelevät DDR3:lle 1,5 voltin käyttöjännitteen. Nykyään markkinoilta on saatavilla maksimissaan 16-gigatavuisia muistikampoja, mutta palvelimet toimitetaan nykypäivänä yleisesti kahdeksan gigatavun muistikammoilla.
Aivan vielä 32-gigatavuisia muistikampoja ei kuitenkaan kannata lähteä bongaamaan lähikaupan hyllystä, sillä Samsung ei ole toistaiseksi edes ilmoittanut, koska se aloittaa kyseisten muistikampojen toimitukset jälleenmyyntikanaviin. IDC-tutkimusyritys arvio, että kahden gigabitin ja sitä suuremmat DDR3-muistipiirit kykenevät nappaamaan ainoastaan kolmen prosentin siivun DRAM-markkinoista tänä vuonna ja osuus tulee kasvamaan 33 prosenttiin vuonna 2011.
TG Daily, Samsung sets the stage for 32 GB DRAM modules
