Samsung valmisti ensimmäisen DDR4-muistikamman

Samsung on julkaissut lehdistötiedotteen, jossa se kertoo valmistaneensa joulukuussa maailman ensimmäiset DDR4-muistitekniikkaan perustuvat muistikammat. DRAM-muistipiirit on valmistettu prosessilla, jota Samsung kutsuu ”30 nanometrin luokaksi” (30 nm class) eli todellisuudessa valmistusprosessissa käytetty viivaleveys on 30-39 nanometriä. DDR4-muistipiireissä on käytössä näytönohjaimien GDDR5-muisteista tuttu Pseudo Open Drain -tekniikka (POD), jonka avulla DDR4-muistipiirien virrankulutus on lukiessa ja kirjoittaessa vain puolet DDR3-tekniikan virrankulutuksesta.

Samsungin kehittämän DDR4-muistikamman DRAM-piirit toimivat tässä vaiheessa 1066 MHz:n kellotaajuudella (2133 MHz DDR) 1,2 voltin käyttöjännitteellä, mutta yrityksen mukaan DDR4-muistipiirit voivat venyä tulevaisuudessa ainakin 1600 MHz:n (3200 MHz DDR) kellotaajuudelle. Nykyiset DDR3-standardin mukaiset ja samalla 30 nanometrin luokan prosessilla valmistetut 800 MHz:n (1600 MHz DDR) kellotaajuudella toimivat DRAM-muistipiirit vaativat toimiakseen 1,35 tai 1,5 voltin käyttöjännitteen.

Samsung työskentelee läheisesti palvelinvalmistajien kanssa, jotta muistitekniikoiden standardoinnista vastaava JEDEC saisi DDR4-standardin valmiiksi tämän vuoden toisella puoliskolla (H2/2011). Samsung kertoo lähettäneensä viime kuun lopulla muistiohjainvalmistajalle (todennäköisesti Intelille) ensimmäiset kahden gigatavun DDR4-muistikammat testattavaksi. Ensimmäisiä DDR4-muisteja tukevia prosessoreita ja emolevyjä odotetaan markkinoille aikaisintaan vuonna 2012.

Korea IT Times, Samsung Develops Industry’s First DDR4DRAM, Using 30nm Class Technology