IBM esitteli 32 nm:n teknologiaa
IBM on esitellyt yhdessä sen teknologiayhteistyökumppaneiden, AMD:n, Chartered Semiconductor Manufacturingin, Freescalen, Infineonin ja Samsungin, kanssa 32 nanometrin valmistusprosessia. Valmistusprosessi käyttää korkean k-arvon hilaeristeen ja metallihilan (high-k / metal gate) tekniikkaa, joka korvaa osan transistorin piistä tehokkaammalla ja viileämmällä materiaalilla. Päämääränä on pakata enemmän komponentteja yhteen piiriin ja kasvattaa suorituskykyä.
Nyt esitelty 32 nanometrin prosessi ei ole pelkästään die shrink 45 nanometrin prosessista, vaan sen käyttöönotto on entistä helpompaa. Prosessi on ensisijaisesti suunniteltu terävintä kärkeä edustaviin komponentteihin, ja antaa mahdollisuuden suunnitella pienempiä ja nopeampia piirejä ilman, että niiden kompleksisuus kasvaisi merkittävästi.
IBM demonstroi 32 nanometrin prosessilla valmistettua toimivaa prototyyppiä SRAM-piiristä (Static RAM), jonka tarkoituksena oli selventää, että valmistusprosessi on valmis tulevaa rautaa varten. Piirejä aletaan valottaa IBM:n 32 nanometrin prosessilla massatuotannollisesti aikaisintaan vasta vuoden 2009 jälkimmäisellä puoliskolla, ja sitä tullaan aikanaan käyttämään ainakin AMD:n, Infineonin ja Samsungin toimesta. Piirit tulevat löytämään tiensä perinteisten tietokoneiden lisäksi pelikonsoleihin, matkapuhelimiin, kameroihin ja muun muassa supertietokoneisiin.
Myös Intel on kehittänyt omaa 32 nanometrin valmistusprosessia ja sen pitäisi olla valmis massatuotantokäyttöön samoihin aikoihin. Intel tulee käyttämään sitä omissa tuotteissaan, palvelinprosessoreista aina UMPC-laitteisiin.
