Micronin 34 nm:n NAND-flash-piirit massatuotantoon
Micron on aloittanut MLC-tyyppisten (Multi-Level Cell) NAND-flash-piirien valmistamisen massatuotannollisesti 34 nanometrin prosessilla. Yritys valmistaa piirejä 16 ja 32 gigabitin eli kahden ja neljän gigatavun suuruisina, ja molemmissa on käytössä ONFI 2.1 -standardiin perustuva rajapinta, joka tarjoaa maksimissaan 200 megatavun siirtonopeuden sekunnissa. Micronin mukaan uusi rajapinta nopeuttaa luku- ja kirjoitusnopeuksia huomattavasti nykypäivän NAND-flash-piireihin perustuviin laitteisiin verrattuna.
16 gigabitin piirin pinta-ala on ainoastaan 84 neliömillimetriä ja 32 gigabitin piirin koko on kutistunut 17 prosentilla ensimmäisen sukupolven 32 gigabitin piireistä. Yritys on jo ilmoittanut valmistaneensa ensimmäisiä näyte-eriä kahdeksan ja 16 gigabitin SLC-tyyppisistä (Single-Level Cell) NAND-flash-piireistä 34 nanometrin prosessilla.
Kuluttajien silmissä Micronin 34 nanometrin prosessi tulee näkymään varsinkin muistikorttien kapasiteettien nousuna ja hintojen laskuna. Esimerkiksi Lexar on ehtinyt jo julkaisemaan 32 gigatavun SDHC-kortin, mutta lähitulevaisuudessa markkinoille julkaistaan myös 64 gigatavun muistikortteja. Samalla nykyiset kuluttajatasoisten 4-8-gigatavuiset muistikortit tulevat korvautumaan 8-16-gigatavuisilla malleilla.
