Uusimmat

Nanyalta DDR3-muisteja vuoden lopulla

04.05.2006 00:00 Muropaketin toimitus

Intel-kokoonpanot ovat olleet jo pitkään DDR2-yhteensopivia ja pian julkaistavan AM2:n myötä myös AMD on siirtymässä DDR:sta DDR2:een. Nanya on kuitenkin jo ehtinyt ilmoittamaan, että se aloittaa DDR3-muistikampojen ensimmäisten näyte-erien valmistamisen tämän vuoden loppupuoliskon aikana, kertoi yrityksen myynti- ja markkinaosaston varapresidentti Pei-lin Pai. Pai kertoi, ettei yritys usko DDR3:sta kasaantuvien tulojen olevan merkittäviä ennen vuotta 2008 ja että tämän vuoden aikana valmistettavat piirit valotetaan 90 nanometrin prosessilla. Myöhemmin, kun DDR3-piirit siirtyvät massatuotantoon, niiden valmistus siirtyy 70 nanometrin prosessiin, mikä tapahtunee vuoden 2008 aikana.

DDR3-piirit toimivat DDR2-piireihin verrattuna alemmalla 1,5 voltin käyttöjännitteellä (1,8 V DDR2), ennakkonoutopuskuri on päivitetty 4-bittisestä 8-bittiseksi ja lisäksi piireissä on sisäisenä lämpösensorit. DDR3-DRAM-muistit tulevat nykyisten arvioiden mukaan tarjoamaan nopeusluokkia DDR3-800:sta aina DDR3-1600:aan. Samalla esimerkiksi suositeltavat CAS-latenssit tulevat vaihtelemaan viiden ja 10 välillä, kun nykyisissä DDR2-muisteissa rajat liikkuvat yleisemmin kolmen ja viiden välillä. Lisäksi Nanya mainostaa DDR3:n tuovan mukanaan kaksi virransäästötekniikka, PASR:n (Partial Array Self Refresh) ja ASR:n (Auto Self Refresh).

DDR3-määritykset ovat tällä hetkellä työstön alla JEDEC:n toimesta ja lopullista hyväksyntää voidaan odottaa ensi vuoden loppupuoliskolla tai vuoden 2008 ensimmäisellä puoliskolla.

DigiTimes, Nanya to start sampling DDR3 in 2H 2006

Muropaketin uusimmat