Samsung pinoaa muistipiirejä
Samsung on onnistunut kehittämään rakenteen, jolla muistipiirejä voidaan pinota päällekkäin ilman hankalia johdotuksia. Wafer-level processed stack package (WSP) -siruissa signaalit siirretään suoraan alla olevan piisirun läpi seuraavaan siruun. Tuloksena on merkittävä tilansäästö ja entistä jopa 30 prosenttia parempi suorituskyky. Samsungin esittelemä ensimmäinen WSP-siru sisältää kahdeksan päällekkäin pinottua kahden gigabitin NAND-sirua. Paketin yhteenlaskettu paksuus on kaikkineen vain 0,56 millimetriä.
WSP-tekniikkaa aiotaan ensimmäiseksi käyttää kulutuselektroniikassa NAND-muisteja tarvitsevissa laitteissa. Samsung odottaa tekniikan olevan valmis massatuotantoon jo ensi vuoden alkupuolella. Myöhemmin WSP-tekniikkaa aiotaan soveltaa myös kapasiteetiltään suuriin DRAM-muisteihin, joissa useiden muistipiirien aiheuttamat signalointiongelmat ovat iso ongelma.
