Toshiba esitteli 48-kerroksisen 3D NAND -flash-muistin
Toshiba on esitellyt maailman ensimmäisen 48-kerroksisen 3D NAND -flash-muistin. BiCS (Bit Cost Scalable) NAND -muistit mahdollistavat yhtiön mukaan entistä edullisemmat SSD-asemat.
Toshiban 48-kerroksiset flash-muistit tullaan toteuttamaan MLC-tekniikalla. Teknologia mahdollistaa maksimissaan 128 gigabitin eli 16 gigatavun flash-muistipiirien valmistuksen. Yhtiö kehuu 48-kerroksisen tekniikan parantavan flash-muistien käyttöikää ja nopeuttavan kirjoitusoperaatioita aiempiin tekniikoihin verrattuna.
Luitko jo nämä?
